Feroelektričnim efektom do bolje memorije
Istraživači iz ANL-a pokazali su kako je feroelektrični efekt kod kristala stabilan i upotrebljiv čak i kad je kristalni sloj debeo samo 1,2 nanometra.
Brian Stephenson i suradnici iz Argonne National Laboratory u američkoj državi Illinois smatraju kako efektivno ne postoji minimalna debljina sloja kristala kod koje bi oni prestali iskazivati feroelektrični efekt (kod kojeg tanki slojevi kristala mijenjaju položaj iona kad su podraženi električnim poljem). Dok se prije smatralo kako sloj kristala debljine četiri nanometra prestaje pokazivati feroelektrični efekt, sada su Stephenson i suradnici pokazali kako je efekt prisutan i stabilan čak i kod 1,2 nanometarskog sloja - što je debljina od samo šest iona.
Ovaj se efekt već koristi u Fe-RAM memorijskim modulima, no trenutno nudi memoriju niske gustoće. Koriste se kristali minerala perovskita u tankom sloju, a električnim poljem moguće je promijeniti stanje dipola te time pohraniti podatke.
Nova istraživanja, smatra Stephenson, mogla bi omogućiti povećanje gustoće memorije za 100 puta, što bi teoretski omogućilo korištenje Fe-RAM memorijske tehnologije u PC-ima i ručnim računalima. Također, potrošnja energije bi bila manja, a brzina takve memorije veća nego kod dosadašnje FLASH memorije. Problem koji ostaje je praktične prirode - proizvesti uređaje s tako tankim elementima.
Izvor: BUG on line
